در حوزه الکترونیک قدرت و مدارهای الکترونیکی، بررسی رفتار قطعات نیمه‌هادی از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است. یکی از مهم‌ترین این قطعات،:contentReference[oaicite:0]{index=0} یا ترانزیستور دوقطبی است که در انواع NPN و PNP مورد استفاده قرار می‌گیرد. در این شبیه‌سازی، تمرکز...

    در این شبیه‌سازی، رفتار یک ترانزیستور دوقطبی نوع NPN مورد بررسی قرار می‌گیرد و منحنی مشخصه جریان کلکتور نسبت به ولتاژ کلکتور-امیتر (Ic-Vce) برای مقادیر مختلف جریان بیس (Ib) تولید و تحلیل می‌شود. این نوع تحلیل یکی از مهم‌ترین ابزارها در درک عملکرد...

در این شبیه‌سازی به بررسی رفتار یک القاگر غیرخطی با در نظر گرفتن پدیده هیسترزیس مغناطیسی پرداخته می‌شود.هیسترزیس یکی از مهم‌ترین ویژگی‌های مواد مغناطیسی است که باعث می‌شود رابطه بین چگالی شار مغناطیسی (B) و شدت میدان مغناطیسی (H)به صورت یک منحنی بسته و وابسته به...

ترانزیستورهای MOSFET یا Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor از مهم‌ترین قطعات نیمه‌هادی مورد استفاده در سیستم‌های الکترونیک قدرت، منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدل‌های DC-DC، اینورترها و تجهیزات کنترل صنعتی هستند. شناخت دقیق رفتار این قطعات و بررسی مشخصه‌های...

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق یا IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) یکی از مهم‌ترین ادوات نیمه‌هادی قدرت در سامانه‌های الکترونیک قدرت محسوب می‌شود. این قطعه به دلیل قابلیت تحمل ولتاژهای بالا، جریان‌های زیاد و همچنین عملکرد مناسب در فرکانس‌های سوئیچینگ مختلف،...

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق یا IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) یکی از مهم‌ترین ادوات نیمه‌هادی قدرت در سیستم‌های الکترونیک قدرت محسوب می‌شود. این تجهیز به دلیل ترکیب ویژگی‌های مطلوب ترانزیستورهای MOSFET و BJT، در کاربردهای مختلفی نظیر درایو موتورهای...

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق یا IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) یکی از مهم‌ترین ادوات نیمه‌هادی قدرت در سیستم‌های الکترونیک قدرت، مبدل‌های DC-DC، اینورترها، درایوهای موتور و تجهیزات صنعتی محسوب می‌شود. عملکرد مناسب این قطعه نه‌تنها به مشخصه‌های استاتیکی آن...

مقدمه در طراحی و تحلیل سیستم‌های الکترونیک قدرت، یکی از مهم‌ترین نیمه‌هادی‌های قدرت، ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است. این قطعه ترکیبی از ویژگی‌های MOSFET و ترانزیستور BJT بوده و به دلیل توانایی تحمل جریان‌های بالا و ولتاژهای زیاد، در کاربردهایی...

در دنیای الکترونیک قدرت، ترانزیستورهای قدرت نقش اساسی در کنترل انرژی الکتریکی دارند. یکی از مهم‌ترین و پرکاربردترین این قطعات، IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است. این قطعه ترکیبی از ویژگی‌های MOSFET و ترانزیستور دوقطبی (BJT) بوده و به دلیل بهره‌وری بالا،...