ماشین‌های لباسشویی امروزی از جمله سامانه‌های الکترومکانیکی پیچیده‌ای هستند که عملکرد صحیح آن‌ها به هماهنگی دقیق میان بخش‌های مکانیکی، الکتریکی، هیدرولیکی و کنترلی وابسته است. بروز هرگونه خطا در یکی از این زیرسیستم‌ها می‌تواند فرآیند شستشو را مختل کرده و باعث کاهش...

در این شبیه‌سازی به بررسی رفتار یک القاگر غیرخطی با در نظر گرفتن پدیده هیسترزیس مغناطیسی پرداخته می‌شود.هیسترزیس یکی از مهم‌ترین ویژگی‌های مواد مغناطیسی است که باعث می‌شود رابطه بین چگالی شار مغناطیسی (B) و شدت میدان مغناطیسی (H)به صورت یک منحنی بسته و وابسته به...

ترانزیستورهای MOSFET یا Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor از مهم‌ترین قطعات نیمه‌هادی مورد استفاده در سیستم‌های الکترونیک قدرت، منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدل‌های DC-DC، اینورترها و تجهیزات کنترل صنعتی هستند. شناخت دقیق رفتار این قطعات و بررسی مشخصه‌های...

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق یا IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) یکی از مهم‌ترین ادوات نیمه‌هادی قدرت در سامانه‌های الکترونیک قدرت محسوب می‌شود. این قطعه به دلیل قابلیت تحمل ولتاژهای بالا، جریان‌های زیاد و همچنین عملکرد مناسب در فرکانس‌های سوئیچینگ مختلف،...

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق یا IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) یکی از مهم‌ترین ادوات نیمه‌هادی قدرت در سیستم‌های الکترونیک قدرت محسوب می‌شود. این تجهیز به دلیل ترکیب ویژگی‌های مطلوب ترانزیستورهای MOSFET و BJT، در کاربردهای مختلفی نظیر درایو موتورهای...

ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق یا IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) یکی از مهم‌ترین ادوات نیمه‌هادی قدرت در سیستم‌های الکترونیک قدرت، مبدل‌های DC-DC، اینورترها، درایوهای موتور و تجهیزات صنعتی محسوب می‌شود. عملکرد مناسب این قطعه نه‌تنها به مشخصه‌های استاتیکی آن...

مقدمه در طراحی و تحلیل سیستم‌های الکترونیک قدرت، یکی از مهم‌ترین نیمه‌هادی‌های قدرت، ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است. این قطعه ترکیبی از ویژگی‌های MOSFET و ترانزیستور BJT بوده و به دلیل توانایی تحمل جریان‌های بالا و ولتاژهای زیاد، در کاربردهایی...

در دنیای الکترونیک قدرت، ترانزیستورهای قدرت نقش اساسی در کنترل انرژی الکتریکی دارند. یکی از مهم‌ترین و پرکاربردترین این قطعات، IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است. این قطعه ترکیبی از ویژگی‌های MOSFET و ترانزیستور دوقطبی (BJT) بوده و به دلیل بهره‌وری بالا،...

در این شبیه‌سازی، هدف بررسی رفتار دینامیکی و استاتیکی ترانزیستور MOSFET نوع NMOS با استفاده از پارامترهای Y و استخراج مشخصه‌های جریان-ولتاژ (I-V) و ظرفیت-ولتاژ (C-V) می‌باشد. این نوع تحلیل یکی از روش‌های پیشرفته در مدل‌سازی قطعات نیمه‌هادی است که امکان مقایسه دقیق بین...